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特色工艺
硅基分立器件
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SIC
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IGBT
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MOSFET
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TVS
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FRD
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MEMS
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碳化硅器件(Silicon Carbide)
碳化硅质料具有高导热的质料特性，可在高温情况下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性，提升系统功率密度，小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域，碳化硅质料比其他新兴质料更具明显优势并被广泛应用。
PE
Inverter
Motor
Control
Smart
Power Grid
Ship&
Vessels
Windmills
UPS
xEV
碳化硅器件特点
碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热质料特性，具有优异的反向恢复能力，可改善功率损失，提升系统的效率。
碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特性，在电力电子高频应用中，可以减少导通切换的功率损失，提升整体系统效率
SiC 平台工艺能力
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高温离子注入
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金属沉积
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高温退火
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激光退火
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深沟槽SiC刻蚀
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SiC栅氧
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SiC晶圆减薄
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自瞄准短沟道工艺
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高沟道迁移率工艺
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零缺陷筛选工艺
Roadmap
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技术简介
绝悦魅栅双极型晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种混淆型电力电子元件，其结合了功率BJT和功率MOSFET的优点，具有MOS栅压控可关断能力，优良的导通特性（低通态功耗和大额定电流），适合的开关速度和较宽的宁静事情区。Si IGBT最高耐压可达6500V，事情频率为2kHz至50kHz。目前IGBT广泛应用于消费类电器、工业控制、工业电源、新能源发电、智能电网、轨道交通、机车牵引和电动汽车等领域。
平台现状
w88优德官网恒久专注于功率IGBT工艺技术的开发，积累了富厚的开发经验和量产经验，现已具备平面IGBT与沟槽IGBT全系列工艺技术平台能力�88优德官网乐成开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT宁静面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽栅场终止型（Trench FS）IGBT，基于Trench FS平台又乐成开发了650V/1200V逆导（RC）IGBT�88优德官网8吋量产的最新一代高密度沟槽栅高能氢注入场终止IGBT，饱和压降小、开关损耗低，且已通过车规级可靠性考核，产品应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、工业工控等领域。
技术能力
高密度沟槽栅刻蚀，LOCOS CMP，Poly CMP，Taiko背面研磨，高能氢注入，激光退火，高压大电流CP测试，Ring Cut & Dicing
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技术简介
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是由金属、氧化物及半导体三种 质料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的事情电流，用于功率输出级的器件，最高耐压可达900V。功率MOSFET主要用于电机控制（电动车、电动工具）、电源治理(锂电�；�，光伏储能)、开关电源（同步整流，PD快充)等领域。
平台现状
w88优德官网恒久专注于功率MOSFET工艺技术平台开发，拥有富厚的MOSFET生产制造经验。现已形成包括Trench MOS，SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺技术平台。其中w88优德官网8寸研发量产的SGT平台已涵盖30-200V，且已通过车规级可靠性考核。该器件接纳电荷平衡技术，可以明显减小器件的导通电阻和米勒电容，实现更优的品质因数（FOM），从而有效降低导通损耗，提高开关性能和事情效率，在不间断电源、电池治理系统、电机驱动、效劳器等领域有广泛的应用。
技术能力
高密度深沟槽栅刻蚀，高密度等离子体氧化物填充，多晶硅与氧化硅CMP，Taiko背面研磨
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w88优德官网6吋/8吋线拥有富厚的TVS（瞬态电压抑制器）工艺研发和生产经验；拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺，能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品，客户产品已经打入国际一流3C产品供应链，拥有能为海内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺计划。
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技术简介
快恢复二极管（FRD，Fast Recovery Diode）具有快速的开通和高速关断能力，具有极短的反向恢复时间、较小的反向过冲电流和较好的软恢复特性，可用于续流二极管（FWD, Freewheeling diode），在IGBT关断后，为电路中的感性负载提供续流回路，减小电容的充放电时间，同时抑制负载电流的瞬时反向引起的高感应电压。同时，FRD也可以用于整流二极管。目前FRD广泛应用于消费类电器、工业/工控、可再生能源、新能源汽车等领域。
平台现状
w88优德官网6吋拥有以外延片和扩散片为基础的FRD制程，支持电子辐照技术进行少子寿命控制。已量产包括650V/750V/1200V/1700V的技术平台工艺，并乐成开发出3300V/4500V/6500V的超高压平台。
w88优德官网8吋区熔片（FZ）FRD平台，接纳低发射极掺杂效率设计和高能氢注入缓冲层，以及业内最先进的局域寿命控制技术（LLC，Local Lifetime Control），具有低正向导通电压、软恢复特性、正温度系数等性能优势。最高结温175℃，并可通过车规级可靠性考核。产品应用于新能源汽车、大功率光伏逆变、储能、工业工控等领域。同时，在此基础上，开发了1200V外延（EPI）FRD平台，本钱更低，以满足客户的差别应用需求。
技术能力
全局寿命控制，局域寿命控制，Taiko背面研磨，高能氢注入，激光退火，高压大电流CP测试，Ring Cut & Dicing
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技术简介
MEMS 是利用集成电路制造技术和微结构、微传感器、控制处理电路甚至接口电路、通信电路和电源电路等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统，是微电路和微机械按功效要求在芯片上的集成，属于微电子技术与机械工程结合的一种工业技术，广泛应用于消费电子领域，机械领域、汽车工业领域以及化工与医疗器械领域
平台现状
w88优德官网拥有凌驾10年的MEMS加工经验， 具有厚外延，深槽刻蚀，金属蒸金，富硅氮化硅以及其他定制化的解决计划， 目前具备光学MEMS传感器的研发和规模量产能力， 同时, MEMS扬声器仍在连续开发历程中。
技术能力
CMOS兼容工艺、厚外延、深槽刻蚀、金属蒸金、富硅氮化硅，可应用于硅光通信、消费电子、工业控制